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BSC0924NDI
2个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：双N沟道。 集成单片肖特基二极管。 针对高性能降压转换器进行优化。 逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-22标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0924NDI
- 商品编号
- C534392
- 商品封装
- TISON-8-EP(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 双N沟道OptiMOS MOSFET
- 集成单片类肖特基二极管
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 逻辑电平(额定4.5V)
- 100%雪崩测试
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照IEC61249 - 2 - 22标准为无卤产品