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BSC0904NSI
30V OptiMOs功率MOSFET
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- 描述
- 特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。 集成单片肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 符合JEDEC标准，适用于目标应用。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 符合IEC61249-2-21的无卤要求
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0904NSI
- 商品编号
- C534383
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管(SyncFET)
- 集成单片类肖特基二极管
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 经过 100% 雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N 沟道
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤