BSC080N03MS G
BSC080N03MS G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC080N03MS G
- 商品编号
- C534376
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LPM3406是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 30V/3A，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 48 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 30V/3.6A，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 36 mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- SOT23封装
应用领域
-便携式媒体播放器/MP3播放器-手机和智能手机-液晶显示器-数码相机传感器-无线网卡