BSC080N03MS G
BSC080N03MS G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC080N03MS G
- 商品编号
- C534376
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LPM3406是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)进行优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数(FOMsw)
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 在VGS = 4.5 V时,具有极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(品质因数FOM)
- 符合JEDEC标准,适用于目标应用
- 优异的热阻性能
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准,无卤素
应用领域
-便携式媒体播放器/MP3播放器-手机和智能手机-液晶显示器-数码相机传感器-无线网卡