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BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC084P03NS3E G
- 商品编号
- C534380
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- SuperSO8封装单P沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 工作温度达150°C
- 100%雪崩测试
- VGS = 25 V,特别适用于笔记本应用
- 静电保护
- 无铅;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
应用领域
-电池管理-负载开关