温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
商品概述
TF5N10采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 5A
- RDS(ON典型值) = 90mΩ（VGS = 10V时）
- RDS(ON典型值) = 115mΩ（VGS = 4.5V时）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源