- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TF4435
P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，低导通电阻，低栅极电荷，单封装双芯片，适用于负载开关和电池保护应用
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF4435
- 商品编号
- C52287142
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
TF4435将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 单封装双芯片
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备和电池供电系统
- TF4953
- TF4953B
- TF9926
- TF9926A
- TF9435
- IP2342_3S
- YJV-0.6/1kV-3X35+2X16
- BV-450/750V-1x6(Yellowish-green)
- BV-450/750V-1x2.5(Blue)
- BV-450/750V-1x4(Yellow)
- YJV-0.6/1kV-3X6+1X4
- YJV-0.6/1kV-3X50+2X25
- YJV-0.6/1kV-3X10+1X6
- BV-450/750V-1x1.5(Blue)
- BV-450/750V-1x1.5(Yellowish-green)
- BV-450/750V-1x6(Red)
- YJV-0.6/1kV-3X240+2X120
- YJV-0.6/1kV-3X150+2X70
- YJV-0.6/1kV-3X95+2X50
- BV-450/750V-1x2.5(Yellowish-green)
- BV-450/750V-1x6(Yellow)