TF8205A
TSSOP-8封装双N沟道MOSFET,具备低栅极电荷和高功率电流处理能力,适用于电池保护和负载开关等
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF8205A
- 商品编号
- C52287278
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理



