温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V |
商品概述
TF4410将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-低RDS(ON),可将传导损耗降至最低-低栅极电荷,可实现快速开关-单封装双芯片
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备和电池-供电系统