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TF4430引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TF4430

N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，低导通电阻，低栅极电荷，单封装双芯片，适用于负载开关和电池保护应用

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品牌名称
TF(拓锋)
商品型号
TF4430
商品编号
C52287141
商品封装
SOP-8L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))4.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)34nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.581nF
反向传输电容(Crss)778pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)993pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

TF4430将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 单封装双芯片

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 便携式设备和电池供电系统

数据手册PDF

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