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TF4430
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V |
商品概述
TF4430将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 单封装双芯片
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备和电池供电系统