温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
商品特性
- VDS = -30V
- 在 VGS = -4.5V、ID = -7.0A 条件下,RDSON(典型值) < 13 m Ω
- 在 VGS = -10V、ID = -12.0A 条件下,RDSON(典型值) < 9 m Ω
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理