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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TF4407
SOP-8封装P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷特性
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF4407
- 商品编号
- C52287138
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
TF4407采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- VDS = -30V
- 在 VGS = -4.5V、ID = -7.0A 条件下,RDSON(典型值) < 13 m Ω
- 在 VGS = -10V、ID = -12.0A 条件下,RDSON(典型值) < 9 m Ω
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理
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- TF9435
- IP2342_3S
- YJV-0.6/1kV-3X35+2X16
- BV-450/750V-1x6(Yellowish-green)
- BV-450/750V-1x2.5(Blue)
- BV-450/750V-1x4(Yellow)
- YJV-0.6/1kV-3X6+1X4
- YJV-0.6/1kV-3X50+2X25
- YJV-0.6/1kV-3X10+1X6
- BV-450/750V-1x1.5(Blue)
- BV-450/750V-1x1.5(Yellowish-green)
- BV-450/750V-1x6(Red)
- YJV-0.6/1kV-3X240+2X120