NXPSC106506Q-HXY

NXPSC106506Q-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度功率模块，能够满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NXPSC106506Q-HXY

商品编号

C52195019

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

4.82克(g)