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ZXGD3006E6TA

采用SOT26封装的40V、10A栅极驱动器

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描述: ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流，以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: ZXGD3006E6TA
商品编号: C526792
商品封装: SOT-26
包装方式: 编带
商品毛重: 0.04克(g)

商品参数

商品概述

ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅MOSFET开关。它能够向栅极传输高达10A的峰值源/灌电流，以对大电容负载进行有效充放电。 ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流。此外，IGBT的导通和关断开关特性可根据应用需求进行单独调整。特别是，通过适当定义开关特性，可以降低电磁干扰（EMI）和交叉导通。

商品特性

高增益缓冲器，1mA输入时典型输出电流为4A
40V电源，可实现+20V至 -18V的栅极驱动，防止dV/dt引起的误触发
射极跟随器，抗闩锁/直通问题能力强，传播延迟时间小于10ns
优化的引脚布局，简化PCB设计并降低寄生走线电感
静态电源电流近乎为零
完全无铅，完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件
通过AEC-Q101标准认证，可靠性高
另有符合汽车标准的型号（ZXGD3006E6Q），其数据手册单独提供

应用领域

电动汽车DC-DC转换器中IGBT和碳化硅MOSFET的栅极驱动
汽车主动悬架系统中IGBT和碳化硅MOSFET的栅极驱动
太阳能逆变器中IGBT和碳化硅MOSFET的栅极驱动
等离子显示面板电源模块的电源中IGBT和碳化硅MOSFET的栅极驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	3.8A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	40V
	上升时间(tr)	48ns
	下降时间(tf)	35ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)