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ZXTN617MATA
低饱和晶体管 NPN 电流:4.5A 电压:15V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 15V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 45mΩ，等效导通电阻低。 hEE 在高达 12A 时仍有高电流增益。 低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTN617MATA
- 商品编号
- C526808
- 商品封装
- DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@3A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 310mV@4.5A,50mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |