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ZXTP718MATA
低饱和晶体管 PNP 电流:3.5A 电压:20V
- 描述
- 特性：BVCEO > -20V。 IC = -3.5A 连续集电极电流。 低饱和电压 (-220mV 最大值 @ -1A)。 Rsat = 64 mΩ，实现低等效导通电阻。 hFE 指定至 -6A，实现高电流增益保持。 低剖面 0.6mm 封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTP718MATA
- 商品编号
- C526819
- 商品封装
- W-DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 直流电流增益(hFE) | 150@2A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 220mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品特性
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO） > -20 V
- 连续集电极电流（IC） = -3.5 A
- 低饱和电压（-1A 时最大 -220mV）
- 饱和电阻（Rsat） = 64 mΩ，等效导通电阻低
- 规定最大 -6A 时的直流电流增益（hFE），大电流下增益稳定
- 低轮廓封装，高度仅 0.6mm，适用于轻薄应用
- 热阻（RθJA）性能优，比 SOT23 低 60%
- 占位面积 4 mm²，比 SOT23 小 50%
- 完全无铅，符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- MOSFET 栅极驱动
- DC-DC 转换器
- 充电电路
- 电源开关
- 电机控制
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