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ZXTP2009ZQTA
低饱和晶体管 PNP 电流:5.5A 电压:40V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTP2009ZQTA
- 商品编号
- C526812
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 170@2A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 152MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 60mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品概述
这款双极结型晶体管（BJT）专为满足汽车应用的严苛要求而设计。
商品特性
- BVCEO > -40V
- IC = -5.5 A 连续集电极电流
- ICM = -15A 峰值脉冲电流
- 极低饱和电压 VCE(SAT) < -60 mV（最大值，-1A 时）
- RSAT = 29 mΩ（-5.5A 时），等效导通电阻低
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- ZXTP2009ZQ 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合 AEC-Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。