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ZXMHC6A07T8TA
2个N沟道+2个P沟道 耐压:60V 电流:1.8A
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- 描述
- 新一代互补 MOSFET H 桥，在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMHC6A07T8TA
- 商品编号
- C526793
- 商品封装
- SOT-223-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.65nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 166pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 |
商品概述
这款新一代互补MOSFET H桥的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
商品特性
- SOIC封装,包含2个N沟道和2个P沟道
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-直流电机控制-直流-交流逆变器
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