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ZXMHC6A07T8TA

2个N沟道+2个P沟道 耐压:60V 电流:1.8A

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描述
新一代互补 MOSFET H 桥,在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMHC6A07T8TA
商品编号
C526793
商品封装
SOT-223-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道+2个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.8A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@4.5V,1.3A
耗散功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)1.65nC@5V
输入电容(Ciss)166pF@40V
反向传输电容(Crss)8.7pF@40V
工作温度-55℃~+150℃
配置全桥

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