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ZXT13P40DE6TA
低饱和开关晶体管 PNP 电流:3A 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-40V。 最大连续集电极电流 Ic =-3A。 峰值脉冲电流 IcM =-10A。 低等效导通电阻，RCE(SAT) = 58mΩ。 低饱和电压（1A 时最大-200mV）。 高达 5A 的 hFE 特性，实现高电流增益保持。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXT13P40DE6TA
- 商品编号
- C526796
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.8W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@3A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 115MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 145mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7.5V |