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ZXMN2A01E6TA
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 描述
- 新一代MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，适用于高效、低电压电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN2A01E6TA
- 商品编号
- C526795
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 303pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构，集低导通电阻与快速开关速度的优势于一身，非常适合用于高效、低压电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-完全无铅,符合 RoHS 标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过 AEC-Q101 标准认证,可靠性高
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制