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DMN2036UCB4-7
2个N沟道 耐压:24V 电流:5A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻（Rss(ON)）降至最低，非常适合用于高效电源管理。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2036UCB4-7
- 商品编号
- C526575
- 商品封装
- X2-WLB1616-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RSS(on) 降至最低，使其成为高效电源管理的理想选择。
商品特性
- 内置G-S保护二极管,可承受2kV HBM静电放电-完全无铅,完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护