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DMT31M6LPS-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT31M6LPS-13

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A

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描述
该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT31M6LPS-13
商品编号
C526582
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))1.35mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)123nC
输入电容(Ciss)7.019nF@15V
反向传输电容(Crss)554pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低RDS(ON)——最小化导通损耗
  • 出色的Qgd x RDS(ON)乘积(品质因数)
  • 用于DC-DC转换器的先进技术
  • 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 100%非钳位电感开关——确保更高的可靠性
  • 无铅表面处理;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF