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ZVNL120GTA
N沟道 耐压:200V 电流:320mA
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- 描述
- 新一代沟槽 MOSFET 具有独特结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVNL120GTA
- 商品编号
- C526787
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 85pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关的优势，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高电压
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低栅极驱动
- 低阈值
- 无铅涂层;符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-离线电源启动电路