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DSS2515M-7B
NPN 电流:500mA 电压:15V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 15V。IC = 500mA 高集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。PD = 1000mW 功率耗散。低集电极-发射极饱和电压，VCE(sat)。0.60mm² 封装尺寸，比 SOT23 小 13 倍。0.5mm 封装高度，减少板外轮廓。互补 PNP 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DSS2515M-7B
- 商品编号
- C526590
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 150@100mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 15 V
- 集电极电流（IC） = 500 mA，高集电极电流
- 集电极峰值脉冲电流（ICM） = 1A
- 功耗（PD） = 1000 mW
- 低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）
- 封装占位面积 0.60 mm²，比 SOT23 小 13 倍
- 封装高度 0.5mm，最小化板外轮廓
- 互补 PNP 型
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC - Q 中参考标准），具备高可靠性