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FZT751QTA

中功率晶体管 PNP 电流:3A 电压:60V

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描述
这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
FZT751QTA
商品编号
C526629
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.189克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE)80@1A,2V
属性参数值
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)7V

商品概述

这款双极结型晶体管(BJT)专为满足汽车应用的严格要求而设计。

商品特性

  • BVCEO > -60 V
  • IC = -3 A 高连续电流
  • ICM = -6 A 峰值脉冲电流
  • 低饱和电压 VCE(sat) < -300 mV(@ -1 A)
  • 互补 NPN 型:FZT651Q
  • 无铅涂层;符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • FZT751Q 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合 AEC-Q101 标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,且在通过 IATF16949 认证的工厂生产。

数据手册PDF

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