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FZT958TA
PNP 电流:0.5A 电压:400V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -400V。 高连续集电极电流：IC = -0.5A。 峰值脉冲电流：ICM = -1.5A。 低饱和电压：VUS(sat) < -400mV @ -0.5A。 hFE指定高达 -2A，以实现高增益保持。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT958TA
- 商品编号
- C526635
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 400V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 85MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 集电极-发射极击穿电压（基极开路）BVCEO > -400 V
- 连续集电极电流高，IC = -0.5 A
- 脉冲峰值电流 ICM = -1.5 A
- 低饱和电压，在 -0.5 A 时 VCE(sat) < -400 mV
- 高增益保持，hFE 在 -2 A 内有规定值
- 无铅涂层；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件