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FZT653QTA
NPN 电流:2A 电压:100V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 100V。 IC = 2A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。 互补 PNP 类型。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，在 IATF 16949 认证工厂生产
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT653QTA
- 商品编号
- C526628
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 55@1A,2V | |
| 特征频率(fT) | 175MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（基极开路）（BVCEO） > 100 V
- 集电极连续电流（IC） = 2 A
- 集电极脉冲峰值电流（ICM） = 6 A
- 低饱和电压：在 1 A 电流下，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)） < 300 mV
- 互补 PNP 型：FZT753
- 无铅表面处理；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- FZT653Q 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合 AEC - Q101 标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件，且在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。
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