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DMTH6004SK3Q-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域：发动机管理系统、车身控制电子设备、DC-DC转换器、电机控制。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6004SK3Q-13
- 商品编号
- C526586
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,90A | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.556nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105.2pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域： 发动机管理系统 车身控制电子系统 直流-直流转换器 电机控制
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保最终应用更加可靠、耐用
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低功率损耗
- 低栅极电荷QG，最大限度降低开关损耗
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子系统
- 直流-直流转换器
- 电机控制