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DMTH6004SK3Q-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH6004SK3Q-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:100A

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描述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下领域:发动机管理系统、车身控制电子设备、DC-DC转换器、电机控制。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH6004SK3Q-13
商品编号
C526586
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.466克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V,90A
耗散功率(Pd)180W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)95.4nC
输入电容(Ciss)4.556nF@30V
反向传输电容(Crss)105.2pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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