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JNG10T65DJS1
650V 20A
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- 描述
- 特性：650V，10A（Tc = 100℃）。 VCE(sat)(typ.) = 1.8V（VGE = 15V，Ic = 10A）。 高速开关。 电机控制的高系统效率。 软电流关断波形。应用：电机驱动。 家用电器
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG10T65DJS1
- 商品编号
- C51484239
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输出电容(Coes) | 37pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 30A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V@10A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 670pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 71ns | |
| 导通损耗(Eon) | 180uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 170uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 57ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 10pF |