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BCW120N21M1实物图
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BCW120N21M1

1200V 21mΩ 碳化硅功率MOSFET

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描述
SiC MOSFET,1200V, 21mΩ@18V
商品型号
BCW120N21M1
商品编号
C51484235
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
15.2375克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)100A
耗散功率(Pd)469W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)198nC
输入电容(Ciss)3.741nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)224pF
导通电阻(RDS(on))21mΩ

数据手册PDF