温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BCW120N21M1
BCW120N21M1
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SiC MOSFET,1200V, 21mΩ@18V
- 商品型号
- BCW120N21M1
- 商品编号
- C51484235
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 15.2375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 198nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.741nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 224pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
商品特性
- 高开关速度，具有低栅极电荷
- 快速本征二极管，具有低反向恢复
- 稳健的雪崩能力
- 100% 雪崩测试
- 无铅、无卤素且符合 RoHS 标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电站
- 不间断电源
- 工业电源