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ASDM65N18S/SOP8
1个N沟道 耐压:65V 电流:18A
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- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM65N18S/SOP8
- 商品编号
- C520566
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低输入电容
- 低米勒电荷
- 在VGS = 4.5 V时具有低导通电阻RDS(on)
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
应用领域
- 电机/车身负载控制