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HSS10N03
N沟道30V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。符合 RoHS 和绿色产品要求，具备完整的功能可靠性认证。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的 Cdv/dt 效应抑制能力。采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS10N03
- 商品编号
- C51025826
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.857nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |