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VBM165R07S
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种电子领域和模块。TO220；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=610mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R07S
- 商品编号
- C516957
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 610mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域