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VBMB1311
1个N沟道 耐压:30V 电流:68A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于多种领域和模块，特别适用于电动车辆、工业电源和高性能电源等需要高功率和高性能的应用场合。TO220F；N—Channel沟道,30V；68A,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1311
- 商品编号
- C516962
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.477克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V；81.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门
- 服务器
- 直流-直流转换器