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VBA1101N
1个N沟道 耐压:100V 电流:16A
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- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；16A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1101N
- 商品编号
- C516883
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 451nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
商品特性
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 材料分类
应用领域
- 直流/直流原边开关-电信/服务器-电机驱动控制-同步整流