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VBL165R04
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适用于各种应用场景。TO263；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL165R04
- 商品编号
- C516950
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品特性
- 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时，典型漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.85 mΩ
- 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时，典型总栅极电荷 (Qg(tot)) = 170 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 12V 系统主开关