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VBE1202
1个N沟道 耐压:20V 电流:120A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N-型场效应管，采用Trench技术，可为不同领域的电子设备提供稳定可靠的功率控制和管理功能。TO252；N—Channel沟道,20V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1202
- 商品编号
- C516940
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门
- 服务器
- 直流/直流