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VBK3215N
2个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBK3215N
- 商品编号
- C516947
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V；180mΩ@1.8V；110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@8V；3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式应用的负载开关