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VBA1310S
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。SOP8；N—Channel沟道,30V；12A；RDS(ON)=11.5mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1310S
- 商品编号
- C516884
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.656nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 322pF |