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VBA3316G
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要半桥电路控制的场合，可广泛应用于各种电源管理和驱动控制模块中。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8/15A；RDS(ON)=17/9mΩ@VGS=10V,VGS=16V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3316G
- 商品编号
- C516886
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W；4.16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V；39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF；2.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF；117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF；360pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤素
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑逻辑直流-直流转换
- 低电流直流-直流转换