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VBE1105
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于需要中功率转换和可靠功率控制的领域。TO252；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1105
- 商品编号
- C516889
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.254克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器