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VB1240X
1个N沟道 耐压:20V 电流:8A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺制造；适用于多种领域的电路设计和模块应用。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB1240X
- 商品编号
- C516874
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V；18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V；10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 316pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽第三代功率 MOSFET
- 100% 栅极电阻（Rg）测试
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- N 沟道 MOSFET