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HT1307BRMZ
512bit串行访问时钟SRAM
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- 描述
- 低功耗，512位静态CMOS RAM，按64字×8位组织。内置32,768 Hz振荡器（由外部晶体控制），RAM的前8字节用于时钟/日历功能，并以二进制编码十进制（BCD）格式配置。地址和数据通过两线双向总线串行传输。内置地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。时钟具有内置电源检测电路，可检测电源故障，并在电源故障时自动切换到电池供电。维持RAM和时钟操作所需的能量可由小型锂硬币电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保留时间超过10年。
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT1307BRMZ
- 商品编号
- C50338903
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 512bit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 300uA | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；自动掉电功能 |
商品概述
HT1307是一款低功耗、512位静态CMOS RAM，组织为64字×8位。其内置一个由外部晶体控制的32,768 Hz振荡器，且RAM的前8个字节用于时钟/日历功能，并配置为二进制编码十进制(BCD)格式。地址和数据通过一条双向两线总线串行传输。内置的地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。该时钟芯片内置电源检测电路，可检测电源故障并在故障期间自动切换至电池供电。维持RAM和时钟运行所需的能量可由小型锂纽扣电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保持时间超过10年。
商品特性
- 5V ±10% 电源电压
- 秒、分、时、星期、日期、月、年及世纪计数器
- 符合2000年标准
- 软件时钟校准
- 自动电源故障检测及切换电路
- 兼容I²C总线
- 56字节通用RAM
- 450nA超低电池供电电流
- 300μA低工作电流
- -40至125℃的工作温度
- 自动闰年补偿
- 特殊软件可编程输出