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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CI300R120MD

碳化硅功率模块 1200V/300A 半桥封装

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描述
尺寸:61.4mmx106.4mmx30mm 碳化硅MOS模块1200V4毫欧
商品型号
CI300R120MD
商品编号
C50338875
商品封装
螺栓安装​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
类型N沟道
配置半桥
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)575A
耗散功率(Pd)1.786kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)1.284uC
输入电容(Ciss)30.25nF
反向传输电容(Crss)82.5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)2.307nF
导通电阻(RDS(on))4mΩ

数据手册PDF