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HMC8410LP2FETR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HMC8410LP2FETR

0.01 GHz 至 10 GHz GaAs pHEMT 低噪声放大器

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描述
GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01GHz至10GHz
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
HMC8410LP2FETR
商品编号
C514409
商品封装
LFCSP-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录RF放大器
频率10MHz~10GHz
增益19.5dB
属性参数值
噪声系数1.1dB
工作电压5V
工作电流65mA

商品概述

HMC8410是一款砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),采用赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术的低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410典型增益为19.5 dB,典型噪声系数为1.1 dB,典型输出三阶交调截点(IP3)为33 dBm,在5 V电源电压下仅需65 mA电流。高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)使这款低噪声放大器(LNA)可作为ADI公司众多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。 HMC8410还具备内部匹配至50 Ω的输入/输出(I/O)端口,非常适合基于表面贴装技术(SMT)的高容量微波无线电应用。 HMC8410采用符合RoHS标准的2 mm×2 mm LFCSP封装。

商品特性

  • 低噪声系数:典型值1.1 dB
  • 高增益:典型值19.5 dB
  • 高输出三阶交调截点(IP3):典型值33 dBm
  • 6引脚、2 mm×2 mm LFCSP封装

应用领域

软件定义无线电 - 雷达应用

数据手册PDF