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2SB649
PNP塑料封装晶体管，适用于低频功率放大器
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- 描述
- 该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流（IC）和150V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率的放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围为60至250，具备较宽的增益覆盖，适应不同信号控制需求。器件可在高电压条件下稳定工作，适合用于电源管理模块、信号转换电路及驱动级设计。广泛应用于消费类电子产品、通信设备、家用电器及嵌入式系统中的开关与放大功能，满足多种通用电路对性能与可靠性的要求。
- 商品型号
- 2SB649
- 商品编号
- C50275340
- 商品封装
- TO-126
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.588442克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 与2SD669搭配的低频功率放大器互补对