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SCT2H12NZGC11-HXY
SCT2H12NZGC11-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可持续通过5A的漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源额定电压为±22V，具备较好的栅极驱动兼容性与可靠性。该器件适用于高电压、中等电流的开关电源、逆变系统及高压功率控制场合，能够满足对耐压与效率有较高要求的应用场景，是构建高压功率转换电路的优选器件之一。
- 商品型号
- SCT2H12NZGC11-HXY
- 商品编号
- C49507533
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.884211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |
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