SCT2H12NZGC11-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述

这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可持续通过5A的漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源额定电压为±22V，具备较好的栅极驱动兼容性与可靠性。该器件适用于高电压、中等电流的开关电源、逆变系统及高压功率控制场合，能够满足对耐压与效率有较高要求的应用场景，是构建高压功率转换电路的优选器件之一。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SCT2H12NZGC11-HXY

商品编号

C49507533

商品封装

TO-3PF​

包装方式

管装

商品毛重

7.884211克(g)