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G2R1000MT17D-HXY
G2R1000MT17D-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高阻断电压和5A的持续漏极电流能力，导通电阻典型值为800mΩ，可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的耐压性能和开关特性，适用于高效率、高频率的电力转换场合。其高热导率和耐高温能力有助于提升系统在严苛环境下的稳定性。典型应用包括高压直流变换、大功率开关电源及要求紧凑设计与高可靠性的电力电子装置，适合对功率密度和能效有较高要求的系统集成。
- 商品型号
- G2R1000MT17D-HXY
- 商品编号
- C49507537
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |