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IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为800mΩ，栅源电压范围为±22V。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率，该器件具备优异的高压阻断能力、高温工作稳定性及快速开关特性，能有效降低开关损耗，提升系统能效。适用于高电压、高频率的电力转换应用，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统中的功率调节模块，适合对系统紧凑性与运行可靠性有较高要求的电力电子设计场景。
- 商品型号
- IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
- 商品编号
- C49507539
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |
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