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SICW1000N170A-HXY
SICW1000N170A-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道碳化硅（SiC）场效应管，具有1700V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电压工作环境。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的开关速度和高温耐受能力，适用于高频开关电源、高压直流变换器、光伏逆变装置及高功率密度电源系统等对效率与热性能要求较高的应用场合。
- 商品型号
- SICW1000N170A-HXY
- 商品编号
- C49507541
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |
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