温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LSIC1MO170E0750-HXY
LSIC1MO170E0750-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻为800mΩ，栅源电压范围支持±22V。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高压、耐高温性能及出色的开关速度，可显著降低开关损耗。其高热导率和抗辐射特性提升了在复杂电磁环境下的运行可靠性。适用于高效率电源转换系统，如大功率DC-DC变换器、不间断电源、光伏逆变装置及高频开关电源模块，适合对系统效率与功率密度有较高要求的电力电子设计应用。
- 商品型号
- LSIC1MO170E0750-HXY
- 商品编号
- C49507538
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |