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C3M0900170D-HXY
C3M0900170D-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道增强型场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为±22V，具备较好的驱动兼容性。该器件适用于高压电源转换、开关电源、逆变器及高耐压需求的功率控制电路中，满足对效率与可靠性要求较高的设计场景。
- 商品型号
- C3M0900170D-HXY
- 商品编号
- C49507536
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |