C3M0900170D-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述

这是一款N沟道增强型场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为±22V，具备较好的驱动兼容性。该器件适用于高压电源转换、开关电源、逆变器及高耐压需求的功率控制电路中，满足对效率与可靠性要求较高的设计场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3M0900170D-HXY

商品编号

C49507536

商品封装

TO-3PF​

包装方式

管装

商品毛重

10.82克(g)